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变革与TI的600-V的GaN FET功率级的高性能电源转换

来源:编辑:颁发时间:2016-04-26 10:46:10

      德克萨斯州达拉斯 - 德州仪器(TI)宣布推出600V氮化镓(GaN)70mΩ的场效应晶体管(FET)功率级的工程样品??,使得TI第一个也是唯一的半导体制造商公布提供了高可用性电压驱动器一体型的GaN溶液。加上TI的模拟和数字电源转换控制器新的12-A LMG3410功率级使设计人员能够创建更小,更高效,更高性能的设计相比于硅基FET的处置方案。这些好处都是在孤立的高电压产业,电信,企业计算和可再生动力应用尤其重要。
 
      带有集成驱动器和功能,如零反向恢复电流时,LMG3410提供可靠的性能,尤其是在硬开关的应用中它可以显着地多达80%的减少开关损耗。与独立氮化镓场效应晶体管,易于使用的集成了LMG3410内置的智能温度,电流和欠压锁定(UVLO)故障保护。
 
成熟的制造和封装技艺
 
      该LMG3410是第一半导体集成电路(IC),以包括由德州仪器制造的GaN FET的。多年的制造和加工技艺专业常识的基础上,TI在硅兼容的工厂创建其GaN器件和做法超出了典型的电子设备工程联合委员会(JEDEC)准则,以确保氮化镓的可靠性和耐用性使它们有资格苛刻的使用案例。易于使用的包装将有助于增补在诸如功率因数控制器(PFC)的AC / DC转换器,高压DC总线转换器和光电(PV)逆变器的采用GaN功率设计。
 
首要特性与LMG3410的好处
 
•双功率密度。 600-V的功率级提供与国家的最先进的硅基升压功率因数转换器相比,图腾柱PFC低50%的功率损耗。的材料缩小清单(BOM)计数和更高的效率能够在高达50%的电源小型化。
•减少包装寄生电感。新设备的8毫米×8毫米四方扁平无引线(QFN)封装减小相比分立的GaN解功率损失,元件电压应力和电磁干扰(EMI)。
•启用新的拓扑结构。氮化镓的零反向恢复电荷利于新的开关拓扑,包括图腾柱PFC和LLC拓扑提高功率密度和效率。
 
扩大氮化镓生态系统
 
      为了支撑设计师谁正在利用GaN技艺在他们的电源设计,TI还推出了新产品,以扩大其氮化镓生态系统。所述LMG5200POLEVM-10,48-V至1-V点的负载点(POL)评估模块,将包含新的TPS53632G的GaN FET的控制器,用80-V的LMG5200氮化镓FET功率级配对。该处置方案允许效率高达产业,电信和数据通信应用的92%。
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